中国突破9nm光刻试验样机
2024-08-10中国科技界再次取得了一项重大突破,成功研发出9纳米(nm)光刻试验样机。这一突破标志着中国在半导体制造领域的实力进一步提升,有望在未来引领全球技术发展。以下将详细介绍这一突破的意义、技术特点以及对中国半导体产业的影响。 意义 光刻技术是半导体制造过程中至关重要的一环,它决定了芯片制造的精度和性能。目前,全球主导光刻技术的公司主要集中在欧美日等发达国家。中国突破9nm光刻试验样机的意义在于,中国有望减少对进口设备的依赖,提高自主研发能力,进而推动中国半导体产业的发展。 技术特点 9nm光刻试验样